Name: FDN327N
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 5399-FDN327NTR-ND
Price: 0.1342 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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FDN327N
Codice DigiKey	5399-FDN327NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5399-FDN327NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5399-FDN327NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Codice produttore	FDN327N
Descrizione	20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2 A (Tc) 500mW (Tc) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	70mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	222 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)