Name: FDN306P
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 5399-FDN306PTR-ND
Price: 0.2318 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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FDN306P
Codice DigiKey	5399-FDN306PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5399-FDN306PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5399-FDN306PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Codice produttore	FDN306P
Descrizione	12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 2,6 A (Tc) 500mW (Tc) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	40mohm a 2,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1015 pF @ 9 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)