Name: RYC002N05T316
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RYC002N05T316TR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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RYC002N05T316
Codice DigiKey	RYC002N05T316TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RYC002N05T316CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RYC002N05T316DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RYC002N05T316
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 50 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) A montaggio superficiale SST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RYC002N05T316 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,2ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	800mV a 1mA
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	26 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SST3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	RYC002

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Nastrato in bobina (TR)