Name: RSR025P03HZGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSR025P03HZGTLTR-ND
Price: 1.037 EUR
Availability: InStock

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RSR025P03HZGTL
Codice DigiKey	846-RSR025P03HZGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RSR025P03HZGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RSR025P03HZGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSR025P03HZGTL
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	98mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	460 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT3
Contenitore/involucro	SC-96
Codice componente base	RSR025

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Nastrato in bobina (TR)