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Canale N 60 V 8 A (Ta) 15W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
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RSD080N06TL

Codice DigiKey
RSD080N06TL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RSD080N06TL
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 8 A (Ta) 15W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RSD080N06TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
380 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
15W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
CPT3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
RSD080
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,44688€ 1 117,20
5 000€ 0,41616€ 2 080,80
7 500€ 0,40879€ 3 065,92
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,44688
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,54519