Canale N 80 V 160 A (Ta) 3W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8S
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Canale N 80 V 160 A (Ta) 3W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8S
ROHM Semiconductor – RS7 Power MOSFETs – PTM | DigiKey

RS7N160BHTB1

Codice DigiKey
846-RS7N160BHTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RS7N160BHTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RS7N160BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS7N160BHTB1
Descrizione
NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 160 A (Ta) 3W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8S
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
160 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,6mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4470 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DFN5060-8S
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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In magazzino: 2 207
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,96000€ 3,96
10€ 2,62300€ 26,23
100€ 1,86000€ 186,00
500€ 1,73068€ 865,34
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,41396€ 3 534,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,96000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,83120