Canale N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1E200GNTB

Codice DigiKey
RS1E200GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E200GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E200GNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RS1E200GNTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A (Ta), 57A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,6mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1080 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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In magazzino: 2 252
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,06000€ 1,06
10€ 0,66500€ 6,65
100€ 0,43850€ 43,85
500€ 0,34102€ 170,51
1 000€ 0,30961€ 309,61
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,27561€ 689,03
5 000€ 0,25459€ 1 272,95
7 500€ 0,24389€ 1 829,17
12 500€ 0,23186€ 2 898,25
17 500€ 0,23120€ 4 046,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,06000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,29320
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