Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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RJP020N06T100
Codice DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RJP020N06T100CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RJP020N06T100
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale MPT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RJP020N06T100 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	240mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 4 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	160 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	MPT3
Contenitore/involucro	TO-243AA
Codice componente base	RJP020

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,50060

RJP020N06T100