Canale N 100 V 105 A (Tc) 189W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB
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RJ1P10BBHTL1

Codice DigiKey
846-RJ1P10BBHTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RJ1P10BBHTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RJ1P10BBHTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RJ1P10BBHTL1
Descrizione
NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 105 A (Tc) 189W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
105 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8600 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
189W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263AB
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,51000€ 6,51
10€ 4,41300€ 44,13
100€ 3,22680€ 322,68
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 2,74230€ 2 193,84
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,94220