Canale N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
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RF4E070GNTR

Codice DigiKey
RF4E070GNTRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RF4E070GNTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RF4E070GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RF4E070GNTR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RF4E070GNTR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
21,4mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
220 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HUML2020L8
Contenitore/involucro
8-PowerUDFN
Codice componente base
RF4E070
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,60000€ 0,60
10€ 0,37200€ 3,72
100€ 0,23940€ 23,94
500€ 0,18194€ 90,97
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,13981€ 419,43
6 000€ 0,12793€ 767,58
9 000€ 0,12188€ 1 096,92
15 000€ 0,11507€ 1 726,05
21 000€ 0,11104€ 2 331,84
30 000€ 0,10712€ 3 213,60
75 000€ 0,10490€ 7 867,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,73200