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Canale N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
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RF4E070BNTR

Codice DigiKey
RF4E070BNTRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RF4E070BNTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RF4E070BNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RF4E070BNTR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RF4E070BNTR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
28,6mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
410 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HUML2020L8
Contenitore/involucro
8-PowerUDFN
Codice componente base
RF4E070
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34614€ 1 038,42
6 000€ 0,32173€ 1 930,38
9 000€ 0,31041€ 2 793,69
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,34614
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,42229