Name: RD3L03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L03BATTL1TR-ND
Price: 2.135 EUR
Availability: InStock

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RD3L03BATTL1
Codice DigiKey	846-RD3L03BATTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3L03BATTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3L03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3L03BATTL1
Descrizione	PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 35 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RD3L03BATTL1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	41mohm a 35A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1930 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	RD3L03