Name: RD3G07BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G07BATTL1TR-ND
Price: 3.4648 EUR
Availability: InStock

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RD3G07BATTL1
Codice DigiKey	846-RD3G07BATTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3G07BATTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3G07BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3G07BATTL1
Descrizione	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 70 A (Tc) 101W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RD3G07BATTL1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 105 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5550 pF @ 20 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 101W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 7,1mohm a 70A, 10V	Codice componente base RD3G07