BA17818FP-E2
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BA17818FP-E2
TO-252
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx

R6009END3TL1

Codice DigiKey
846-R6009END3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R6009END3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-R6009END3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
R6009END3TL1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
535mohm a 2,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,79000€ 2,79
10€ 1,81200€ 18,12
100€ 1,25770€ 125,77
500€ 1,06906€ 534,53
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,87342€ 2 183,55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,40380