


QS8M31TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS8M31TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8M31CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS8M31TR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 112mohm a 3A, 10V, 210mohm a 2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA, 3V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4nC a 5V, 7,2nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 270pF a 10V, 750pF a 10V | |
Potenza - Max | 1,1W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | TSMT8 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,66200 | € 6,62 |
| 100 | € 0,43600 | € 43,60 |
| 500 | € 0,33882 | € 169,41 |
| 1 000 | € 0,30755 | € 307,55 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,26781 | € 803,43 |
| 6 000 | € 0,24780 | € 1 486,80 |
| 9 000 | € 0,23761 | € 2 138,49 |
| 15 000 | € 0,22888 | € 3 433,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |


