MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
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MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8M31TR

Codice DigiKey
QS8M31TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
QS8M31CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
QS8M31TR
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta), 2A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
112mohm a 3A, 10V, 210mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA, 3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 5V, 7,2nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
270pF a 10V, 750pF a 10V
Potenza - Max
1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
TSMT8
Codice componente base
QS8M31
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In magazzino: 3 380
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,05000€ 1,05
10€ 0,65900€ 6,59
100€ 0,43440€ 43,44
500€ 0,33762€ 168,81
1 000€ 0,30644€ 306,44
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,26685€ 800,55
6 000€ 0,24691€ 1 481,46
9 000€ 0,23676€ 2 130,84
15 000€ 0,22806€ 3 420,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,28100
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