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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Foro passante 20-HSDIP
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BST70B2P4K01-VC

Codice DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Produttore
Codice produttore
BST70B2P4K01-VC
Descrizione
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Foro passante 20-HSDIP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
4 canale N (ponte intero)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
70 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 70A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,8V a 22,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
170nC a 18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4500pF a 800V
Potenza - Max
385W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
Modulo 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm)
Contenitore del fornitore
20-HSDIP
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Scatola
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 94,50000€ 94,50
10€ 79,35000€ 793,50
60€ 72,75750€ 4 365,45
120€ 70,97442€ 8 516,93
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 94,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 115,29000