Name: BSS670T116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSS670T116TR-ND
Price: 0.4392 EUR
Availability: InStock

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BSS670T116
Codice DigiKey	846-BSS670T116TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-BSS670T116CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-BSS670T116DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BSS670T116
Descrizione	NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	650mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	680mohm a 650mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 10µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	47 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SST3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)