Name: AG140FGS4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG140FGS4FRATCBTR-ND
Price: 2.6474 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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AG140FGS4FRATCB
Codice DigiKey	846-AG140FGS4FRATCBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-AG140FGS4FRATCBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-AG140FGS4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	AG140FGS4FRATCB
Descrizione	NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale HPLF5060T5LSAH
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4mohm a 120A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1,6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4930 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	HPLF5060T5LSAH
Contenitore/involucro	SC-100, SOT-669

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