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2SB1260T100P

Codice DigiKey
2SB1260T100P-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
2SB1260T100P
Descrizione
TRANS PNP 80V 1A MPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W A montaggio superficiale MPT3
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
400mV a 50mA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
82 a 100mA, 3V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-243AA
Contenitore del fornitore
MPT3
Codice componente base
2SB1260
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,25315€ 253,15
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,25315
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,30884