IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPP120N10S403AKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPP120N10S403AKSA1
Codice DigiKey	IPP120N10S403AKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP120N10S403AKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,9mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 180µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	10120 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3-1
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IPP120