Name: RJK0328DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0328DPB-01#J0TR-ND
Price: 4.1358 EUR
Availability: InStock

Canale N 30 V 60 A (Ta) 65W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK

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RJK0328DPB-01#J0
Codice DigiKey	RJK0328DPB-01#J0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RJK0328DPB-01#J0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RJK0328DPB-01#J0
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 60 A (Ta) 65W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,1mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6380 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK
Contenitore/involucro	SC-100, SOT-669
Codice componente base	RJK0328

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