Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.4904 EUR
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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NP100P06PDG-E1-AY
Codice DigiKey	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	NP100P06PDG-E1-AY
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 100 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NP100P06PDG-E1-AY Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15000 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	NP100P06