Name: SBSP52T1G
Brand: onsemi
SKU: SBSP52T1GOSTR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

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SBSP52T1G
Codice DigiKey	SBSP52T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SBSP52T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SBSP52T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SBSP52T1G
Descrizione	TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 2000 a 500mA, 10V
Produttore onsemi	Potenza - Max 800 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo di transistor NPN - Darlington	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Collettore (Ic) max 1 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 80 V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1,3V a 500µA, 500mA	Contenitore del fornitore SOT-223 (TO-261)
Corrente - Interruzione collettore (max) 10µA	Codice componente base SBSP52