Name: SBSP52T1G
Brand: onsemi
SKU: SBSP52T1GOSTR-ND
Price: 0.7686 EUR
Availability: InStock

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SBSP52T1G
Codice DigiKey	SBSP52T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SBSP52T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SBSP52T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SBSP52T1G
Descrizione	TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max	1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	1,3V a 500µA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	10µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	2000 a 500mA, 10V
Potenza - Max	800 mW
Frequenza - Transizione	-
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Contenitore del fornitore	SOT-223 (TO-261)
Codice componente base	SBSP52

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Nastrato in bobina (TR)