Name: NVMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D7N06CLTXGOSTR-ND
Price: 13.054 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D7N06CLTXG
Codice DigiKey	NVMTS0D7N06CLTXGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMTS0D7N06CLTXGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMTS0D7N06CLTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMTS0D7N06CLTXG
Descrizione	AFSM T6 60V LL NCH
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 62,2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	62,2A (Ta), 477A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,68mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	225 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16200 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFNW (8,3x8,4)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	NVMTS0