Name: NVMJST2D6N08HTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST2D6N08HTXGTR-ND
Price: 3.6722 EUR
Availability: InStock

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NVMJST2D6N08HTXG
Codice DigiKey	488-NVMJST2D6N08HTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMJST2D6N08HTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMJST2D6N08HTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMJST2D6N08HTXG
Descrizione	TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 28A (Ta), 131,5A (Tc) 5,3W (Ta), 116W (Tc) A montaggio superficiale 10-TCPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28A (Ta), 131,5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,8mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4405 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5,3W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	10-TCPAK
Contenitore/involucro	10-PowerLSOP (larghezza 0,209", 5,30mm)
Codice componente base	NVMJST2D

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