Name: NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D7N04XMT1GTR-ND
Price: 1.3054 EUR
Availability: InStock

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NVMFWS1D7N04XMT1G
Codice DigiKey	488-NVMFWS1D7N04XMT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFWS1D7N04XMT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFWS1D7N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFWS1D7N04XMT1G
Descrizione	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 154 A (Tc) 75W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	154 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,65mohm a 14A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 70µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1840 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NVMFWS

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)