Name: NVMFSW6D1N08HT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFSW6D1N08HT1GTR-ND
Price: 2.135 EUR
Availability: InStock

Canale N 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3,8W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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NVMFSW6D1N08HT1G
Codice DigiKey	488-NVMFSW6D1N08HT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFSW6D1N08HT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFSW6D1N08HT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFSW6D1N08HT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3,8W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17A (Ta), 89A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 120µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2085 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NVMFSW

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