Name: NVJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVJD4158CT1GTR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: InStock

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NVJD4158CT1G
Codice DigiKey	488-NVJD4158CT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVJD4158CT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVJD4158CT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJD4158CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 270mW (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	250mA (Ta), 880mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 10mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	20pF a 5V
Potenza - Max	270mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363

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Nastrato in bobina (TR)