
NTTFD4D1N03P1E | |
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Codice DigiKey | 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFD4D1N03P1E |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 12 A (Ta), 54 A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale 12-WQFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTTFD4D1N03P1E Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 12 A (Ta), 54 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,3mohm a 10A, 10V, 3,5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 270µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15nC a 10V, 14nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1103pF a 15V, 972pF a 15V | |
Potenza - Max | 1W (Ta), 20W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 12-PowerWQFN | |
Contenitore del fornitore | 12-WQFN (3,3x3,3) | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,73000 | € 1,73 |
| 10 | € 1,10200 | € 11,02 |
| 100 | € 0,74430 | € 74,43 |
| 500 | € 0,59110 | € 295,55 |
| 1 000 | € 0,55488 | € 554,88 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,47928 | € 1 437,84 |
| 6 000 | € 0,45334 | € 2 720,04 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,73000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,11060 |






