Name: NTMS5P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS5P02R2GOSTR-ND
Price: 1.5128 EUR
Availability: InStock

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NTMS5P02R2G
Codice DigiKey	NTMS5P02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMS5P02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMS5P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMS5P02R2G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,95 A (Ta) 790mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMS5P02R2G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,95 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	33mohm a 5,4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,25V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1900 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	790mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	NTMS5