NTHD5904NT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTHD5904NT1G è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,59000

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 32 745

Prezzo unitario : € 0,48000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTHD5904NT1G
Codice DigiKey	NTHD5904NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHD5904NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,5 A (Ta) 640mW (Ta) A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 3,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	465 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	640mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	ChipFET™
Contenitore/involucro	8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	NTHD59