MMBF2202PT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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MMBF2202PT1G
Codice DigiKey	MMBF2202PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBF2202PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 300MA SC70-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 300mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale SC-70-3 (SOT323)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBF2202PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	300mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,2ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-70-3 (SOT323)
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	MMBF22