Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 5.49 EUR
Availability: InStock

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HGT1S10N120BNST
Codice DigiKey	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HGT1S10N120BNSTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	HGT1S10N120BNST
Descrizione	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	NPT
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	35 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	80 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,7V a 15V, 10A
Potenza - Max	298 W
Energia di commutazione	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	100 nC
Td (on/off) a 25°C	23ns/165ns
Condizione di test	960V, 10A, 10ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Codice componente base	HGT1S10