Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 5.917 EUR
Availability: InStock

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FDB024N08BL7
Codice DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB024N08BL7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB024N08BL7
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 246W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	13530 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	246W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	FDB024