FDA28N50F onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDA28N50F
Codice DigiKey	FDA28N50F-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDA28N50F
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 28 A (Tc) 310W (Tc) Foro passante TO-3PN
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDA28N50F Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	UniFET™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	175mohm a 14A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5387 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	310W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3PN
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base	FDA28