FCPF22N60NT è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore


onsemi
In magazzino: 995
Prezzo unitario : € 4,75000
Scheda tecnica

Simile


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 949
Prezzo unitario : € 3,64000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 147
Prezzo unitario : € 2,85000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 291
Prezzo unitario : € 4,95000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 456
Prezzo unitario : € 3,85000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 247
Prezzo unitario : € 3,32000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 291
Prezzo unitario : € 3,07000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,18000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,83536
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 1 487
Prezzo unitario : € 4,28000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 600
Prezzo unitario : € 3,65000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 761
Prezzo unitario : € 3,48000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1 000
Prezzo unitario : € 3,80000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 421
Prezzo unitario : € 6,72000
Scheda tecnica
TO-220F-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FCPF22N60NT

Codice DigiKey
FCPF22N60NT-ND
Produttore
Codice produttore
FCPF22N60NT
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 22A TO220F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 22 A (Tc) 39W (Tc) Foro passante TO-220F-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FCPF22N60NT Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
165mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±45V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
39W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220F-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.