Name: BS170-D26Z
Brand: onsemi
SKU: BS170-D26ZTR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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BS170-D26Z
Codice DigiKey	BS170-D26ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BS170-D26ZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	BS170-D26Z
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BS170-D26Z Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	40 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	830mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-92-3
Contenitore/involucro	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Codice componente base	BS170

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)