2SB1216S-TL-E onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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2SB1216S-TL-E
Codice DigiKey	2SB1216S-TL-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SB1216S-TL-EOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	2SB1216S-TL-E
Descrizione	TRANS PNP 100V 4A TP-FA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W A montaggio superficiale TP-FA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SB1216S-TL-E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	4 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	500mV a 200mA, 2A
Corrente - Interruzione collettore (max)	1µA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	140 a 500mA, 5V
Potenza - Max	1 W
Frequenza - Transizione	130MHz
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	TP-FA
Codice componente base	2SB1216

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)