NC1M120C75HTNG NovuSem | Prodotti a semiconduttore discreti

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NC1M120C75HTNG
Codice DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Produttore	NovuSem
Codice produttore	NC1M120C75HTNG
Descrizione	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	NovuSem
Serie	NC1M
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	47 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	75mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 5mA
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1450 pF @ 1000 V
Dissipazione di potenza (max)	288W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4