Name: PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND
Price: 3.904 EUR
Availability: InStock

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PSMN3R9-100YSFX
Codice DigiKey	1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN3R9-100YSFXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN3R9-100YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN3R9-100YSFX
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 245W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56; Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,3mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7360 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	245W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK56; Power-SO8
Contenitore/involucro	SOT-1023, 4-LFPAK
Codice componente base	PSMN3R9