Canale N 30 V 100 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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PSMN3R4-30BL,118

Codice DigiKey
1727-7115-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-7115-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
PSMN3R4-30BL,118
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 100 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,3mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,15V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3907 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
114W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
PSMN3R4
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Nastro pre-tagliato (CT)
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