Name: PSMN013-100YSEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1129-2-ND
Price: 2.9768 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN013-100YSEX
Codice DigiKey	1727-1129-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1129-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1129-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN013-100YSEX
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 82 A (Tj) 238W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	82 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3775 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	238W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Contenitore/involucro	SC-100, SOT-669
Codice componente base	PSMN013