PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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TSM2318CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

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Canale N 40 V 2,7 A (Ta) 490mW (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV65ENEAR
Codice DigiKey	1727-2535-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2535-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2535-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV65ENEAR
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 2,7 A (Ta) 490mW (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 160 pF @ 20 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta), 6,25W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,7 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 2,7A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base PMV65

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TSM2318CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	119 899	TSM2318CXRFGCT-ND	€ 0,95000	Simile

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