Name: PMV45EN2R
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-2307-2-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

PMV45EN2R
Codice DigiKey	1727-2307-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2307-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2307-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV45EN2R
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 4,1 A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV45EN2R Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	42mohm a 4,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	209 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	510mW (Ta), 5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-236AB
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	PMV45EN2

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 4

A causa di un'offerta limitata temporanea, al momento DigiKey non è in grado di accettare ordini arretrati.

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)