BAS21QA-QZ Nexperia USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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BAS21-QAZ

Nexperia USA Inc.

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BAS21LT1G

onsemi

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Scheda tecnica

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BAS21QA-QZ
Codice DigiKey	1727-BAS21QA-QZTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BAS21QA-QZ
Descrizione	DIODE STD 200V 330MA DFN1010D3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 200 V 330mA A montaggio superficiale DFN1010D-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia	Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	330mA
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.25 V @ 200 mA
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	100 nA @ 200 V
Capacità a Vr, F	2pF a 0V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	3-XDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	DFN1010D-3
Temp. di funzionamento - Giunzione	150°C

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