MT53E512M16D1FW-046 AAT:D Micron Technology Inc. | Memoria

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MT53E512M16D1FW-046 AAT:D
Codice DigiKey	557-MT53E512M16D1FW-046AAT:D-ND
Produttore	Micron Technology Inc.
Codice produttore	MT53E512M16D1FW-046 AAT:D
Descrizione	IC DRAM 8GBIT PAR 200TFBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	SDRAM - LPDDR4X mobile Memoria IC 8Gbit Parallelo 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria	Frequenza di clock 2.133 GHz
Produttore Micron Technology Inc.	Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 18ns
Confezionamento Scatola	Tempo di accesso 3.5 ns
Stato componente Obsoleto	Tensione - Alimentazione 1,06 ~ 1,17V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di memoria Volatile	Grado Automobilistico
Formato memoria DRAM	Qualifica AEC-Q100
Tecnologia SDRAM - LPDDR4X mobile	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Dimensioni memoria 8Gbit	Contenitore/involucro 200-TFBGA
Organizzazione della memoria 512M x 16	Contenitore del fornitore 200-TFBGA (10x14,5)
Interfaccia di memoria Parallelo	Codice componente base MT53E512

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