JR28F064M29EWHB TR Micron Technology Inc. | Memoria

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JR28F064M29EWHB TR
Codice DigiKey	JR28F064M29EWHBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Micron Technology Inc.
Codice produttore	JR28F064M29EWHB TR
Descrizione	IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	FLASH - NOR Memoria IC 64Mbit Parallelo 70 ns 48-TSOP I
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	JR28F064M29EWHB TR Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria	Interfaccia di memoria Parallelo
Produttore Micron Technology Inc.	Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Tempo di accesso 70 ns
Stato componente Obsoleto	Tensione - Alimentazione 2,7 ~ 3,6V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di memoria Non volatile	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Formato memoria FLASH	Contenitore/involucro 48-TFSOP (larghezza 0,724", 18,40mm)
Tecnologia FLASH - NOR	Contenitore del fornitore 48-TSOP I
Dimensioni memoria 64Mbit	Codice componente base JR28F064M29
Organizzazione della memoria 8M x 8, 4M x 16

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