Canale P 20 V 2 A (Ta) 225mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
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SI2301S-2.3A

Codice DigiKey
3372-SI2301S-2.3ATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
MDD
Codice produttore
SI2301S-2.3A
Descrizione
MOSFET SOT-23 P Channel 20V
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 2 A (Ta) 225mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
3,3V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
330 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
225mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23
Contenitore/involucro
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Nastrato in bobina (TR)
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