MG1275S-BA1MM Littelfuse Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

MG1275S-BA1MM
Codice DigiKey	F6495-ND
Produttore	Littelfuse Inc.
Codice produttore	MG1275S-BA1MM
Descrizione	IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo Semiponte 1200 V 105 A 630 W Montaggio su telaio S3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT
Produttore	Littelfuse Inc.
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	-
Configurazione	Semiponte
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	105 A
Potenza - Max	630 W
Vce(on) max a Vge, Ic	1,8V a 15V, 75A (tip.)
Corrente - Interruzione collettore (max)	500 µA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	5.52 nF @ 25 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo S-3
Contenitore del fornitore	S3